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SIA936EDJ-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC-70

भाग संख्या

SIA936EDJ-T1-GE3

निर्माता/ब्रांड

Vishay Siliconix

शृंखला

TrenchFET®

भाग स्थिति

Obsolete

पैकेजिंग

Cut Tape (CT)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

PowerPAK® SC-70-6 Dual

शक्ति - अधिकतम

7.8W

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

PowerPAK® SC-70-6 Dual

एफईटी प्रकार

2 N-Channel (Dual)

एफईटी सुविधा

Logic Level Gate

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

20V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

4.5A

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

34 mOhm @ 4A, 4.5V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

1.3V @ 250µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

17nC @ 10V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

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