खरीदें Vishay Siliconix SIR626LDP-T1-RE3 MOSFET N-CHAN 60-V POWERPAK SO-8

छवि प्रतिनिधित्व हो सकती है।
उत्पाद विवरण के लिए विनिर्देश देखें.

अधिक जानकारी देखें DataSheets

SIR626LDP-T1-RE3

MOSFET N-CHAN 60-V POWERPAK SO-8

भाग संख्या

SIR626LDP-T1-RE3

निर्माता/ब्रांड

Vishay Siliconix

शृंखला

TrenchFET® Gen IV

भाग स्थिति

Active

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

PowerPAK® SO-8

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

PowerPAK® SO-8

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

6.25W (Ta), 104W (Tc)

एफईटी प्रकार

N-Channel

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

60V

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

1.5 mOhm @ 20A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

2.5V @ 250µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

135nC @ 10V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

5900pF @ 30V

वीजीएस (अधिकतम)

±20V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

4.5V, 10V

कोट अनुरोध करें

कृपया सभी आवश्यक फ़ील्ड भरें और SUBMIT पर क्लिक करें, हम 12 घंटे में ईमेल द्वारा आपसे संपर्क करेंगे। यदि आपको कोई समस्या है, तो कृपया [email protected] पर संदेश या ईमेल छोड़ें एस, हम यथाशीघ्र जवाब देंगे।

स्टॉक में 30539 PCS

संपर्क जानकारी

संबंधित उत्पाद

SIR606BDP-T1-RE3

MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8