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AO4600C
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
भाग संख्या
AO4600C
निर्माता/ब्रांड
शृंखला
-
भाग स्थिति
Preliminary
पैकेजिंग
-
परिचालन तापमान
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार
Surface Mount
पैकेज/केस
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
शक्ति - अधिकतम
2W
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज
8-SOIC
एफईटी प्रकार
N and P-Channel
एफईटी सुविधा
Standard
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)
30V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस
7.5A (Ta), 5.6A (Ta)
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस
23 mOhm @ 7.5A, 10V, 42 mOhm @ 5.6A, 10V
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी
1.5V @ 250µA, 1.3V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
12nC @ 4.5V, 12.2nC @ 4.5V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
1100pF @ 15V, 1200pF @ 15V
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