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AOB412L

MOSFET N-CH 100V 8.2A TO263

भाग संख्या

AOB412L

निर्माता/ब्रांड

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

शृंखला

SDMOS™

भाग स्थिति

Obsolete

पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

TO-263 (D²Pak)

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

2.6W (Ta), 150W (Tc)

एफईटी प्रकार

N-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

100V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

8.2A (Ta), 60A (Tc)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

15.5 mOhm @ 20A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

3.8V @ 250µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

54nC @ 10V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

3220pF @ 50V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

7V, 10V

वीजीएस (अधिकतम)

±25V

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