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AON5802B

MOSFET 2N-CH 30V 7.2A 6DFN

भाग संख्या

AON5802B

निर्माता/ब्रांड

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

शृंखला

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

6-SMD, Flat Lead Exposed Pad

शक्ति - अधिकतम

1.6W

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

6-DFN-EP (2x5)

एफईटी प्रकार

2 N-Channel (Dual) Common Drain

एफईटी सुविधा

Logic Level Gate

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

30V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

7.2A

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

19 mOhm @ 7A, 4.5V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

1.5V @ 250µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

24nC @ 10V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

1150pF @ 15V

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