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AON5820_101

AON5820_101

MOSFET 2N-CH 20V 10A 6DFN
भाग संख्या
AON5820_101
निर्माता/ब्रांड
शृंखला
-
भाग स्थिति
Obsolete
पैकेजिंग
Tape & Reel (TR)
परिचालन तापमान
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार
Surface Mount
पैकेज/केस
6-SMD, Flat Lead Exposed Pad
शक्ति - अधिकतम
1.7W
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज
6-DFN-EP (2x5)
एफईटी प्रकार
2 N-Channel (Dual) Common Drain
एफईटी सुविधा
Logic Level Gate
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)
20V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस
10A
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस
9.5 mOhm @ 10A, 4.5V
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी
1V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
15nC @ 4.5V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
1510pF @ 10V
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