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HCNW135-000E

OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 8DIP

भाग संख्या

HCNW135-000E

निर्माता/ब्रांड

Broadcom Limited

शृंखला

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Tube

निवेष का प्रकार

परिचालन तापमान

-55°C ~ 85°C

माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole

पैकेज/केस

8-DIP (0.400", 10.16mm)

उत्पादन का प्रकार

Transistor with Base

चैनलों की संख्या

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

8-DIP

वर्तमान - आउटपुट/चैनल

8mA

वोल्टेज - अलगाव

5000Vrms

उत्थान/पतन का समय (प्रकार)

वोल्टेज - आउटपुट (अधिकतम)

20V

वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (टाइप)

1.68V

वर्तमान - डीसी फॉरवर्ड (यदि) (अधिकतम)

25mA

वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम)

5% @ 16mA

वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (अधिकतम)

चालू/बंद करने का समय (प्रकार)

2µs, 2µs (Max)

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