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DF210-G

RECT BRIDGE GPP 1000V 2A DF

भाग संख्या

DF210-G

निर्माता/ब्रांड

Comchip Technology

शृंखला

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Tube

तकनीकी

Standard

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole

पैकेज/केस

4-EDIP (0.321", 8.15mm)

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

4-DF

डायोड प्रकार

Single Phase

वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम)

1kV

वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ)

वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ यदि

1.1V @ 2A

करंट - रिवर्स लीकेज @ वीआर

10µA @ 1000V

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