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MB8M-G

BRIDGE DIODE GPP 0.8A 800V MPM

भाग संख्या

MB8M-G

निर्माता/ब्रांड

Comchip Technology

भाग स्थिति

Obsolete

तकनीकी

Standard

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole

पैकेज/केस

4-DIP (0.200", 5.08mm)

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

MBM

डायोड प्रकार

Single Phase

वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम)

800V

वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ)

800mA

वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ यदि

1.1V @ 800mA

करंट - रिवर्स लीकेज @ वीआर

5µA @ 800V

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