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DMN53D0LDW-13

MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363

भाग संख्या

DMN53D0LDW-13

निर्माता/ब्रांड

Diodes Incorporated

शृंखला

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Cut Tape (CT)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

शक्ति - अधिकतम

310mW

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

SOT-363

एफईटी प्रकार

2 N-Channel (Dual)

एफईटी सुविधा

Logic Level Gate

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

50V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

360mA

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

1.6 Ohm @ 500mA, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

1.5V @ 250µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

0.6nC @ 4.5V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

46pF @ 25V

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