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2N7636-GA

TRANS SJT 650V 4A TO276

भाग संख्या

2N7636-GA

निर्माता/ब्रांड

GeneSiC Semiconductor

शृंखला

भाग स्थिति

Obsolete

पैकेजिंग

Tube

तकनीकी

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 225°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

TO-276AA

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

TO-276

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

125W (Tc)

एफईटी प्रकार

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

650V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

4A (Tc) (165°C)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

415 mOhm @ 4A

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

324pF @ 35V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

वीजीएस (अधिकतम)

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