खरीदें GeneSiC Semiconductor BR66 DIODE BRIDGE 600V 6A BR-6

चीन
पेशेवर इलेक्ट्रॉनिक घटक आपूर्तिकर्ता

कैटलाग निर्माताओं सीएन आईसी

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BR66

DIODE BRIDGE 600V 6A BR-6

भाग संख्या

BR66

निर्माता/ब्रांड

GeneSiC Semiconductor

शृंखला

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Bulk

तकनीकी

Standard

परिचालन तापमान

-65°C ~ 125°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole

पैकेज/केस

4-Square, BR-6

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

BR-6

डायोड प्रकार

Single Phase

वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम)

600V

वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ)

वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ यदि

1V @ 3A

करंट - रिवर्स लीकेज @ वीआर

10µA @ 600V

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