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GA03JT12-247

TRANS SJT 1200V 3A TO-247AB

भाग संख्या

GA03JT12-247

निर्माता/ब्रांड

GeneSiC Semiconductor

शृंखला

भाग स्थिति

Obsolete

पैकेजिंग

Tube

तकनीकी

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

परिचालन तापमान

175°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole

पैकेज/केस

TO-247-3

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

TO-247AB

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

15W (Tc)

एफईटी प्रकार

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

1200V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

3A (Tc) (95°C)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

460 mOhm @ 3A

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

वीजीएस (अधिकतम)

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