खरीदें GeneSiC Semiconductor GA100JT17-227 TRANS SJT 1700V 160A SOT227

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GA100JT17-227

TRANS SJT 1700V 160A SOT227

भाग संख्या

GA100JT17-227

निर्माता/ब्रांड

GeneSiC Semiconductor

शृंखला

भाग स्थिति

Not For New Designs

पैकेजिंग

Tube

तकनीकी

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Chassis Mount

पैकेज/केस

SOT-227-4, miniBLOC

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

SOT-227

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

535W (Tc)

एफईटी प्रकार

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

1700V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

160A (Tc)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

10 mOhm @ 100A

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

14400pF @ 800V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

वीजीएस (अधिकतम)

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