खरीदें GeneSiC Semiconductor MBR300200CTR DIODE SCHOTTKY 200V 150A 2 TOWER

छवि प्रतिनिधित्व हो सकती है।
उत्पाद विवरण के लिए विनिर्देश देखें.

अधिक जानकारी देखें DataSheets

MBR300200CTR

DIODE SCHOTTKY 200V 150A 2 TOWER

भाग संख्या

MBR300200CTR

निर्माता/ब्रांड

GeneSiC Semiconductor

शृंखला

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Bulk

माउन्टिंग का प्रकार

Chassis Mount

पैकेज/केस

Twin Tower

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

Twin Tower

डायोड प्रकार

Schottky

वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ यदि

920mV @ 150A

करंट - रिवर्स लीकेज @ वीआर

3mA @ 200V

डायोड विन्यास

1 Pair Common Anode

वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम)

200V

करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड)

150A

रफ़्तार

Fast Recovery = 200mA (Io)

रिवर्स पुनर्प्राप्ति समय (trr)

ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन

-40°C ~ 150°C

कोट अनुरोध करें

कृपया सभी आवश्यक फ़ील्ड भरें और SUBMIT पर क्लिक करें, हम 12 घंटे में ईमेल द्वारा आपसे संपर्क करेंगे। यदि आपको कोई समस्या है, तो कृपया [email protected] पर संदेश या ईमेल छोड़ें एस, हम यथाशीघ्र जवाब देंगे।

स्टॉक में 44495 PCS

संपर्क जानकारी