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GD5F2GQ4UEYIGR

SPI NAND FLASH

भाग संख्या

GD5F2GQ4UEYIGR

निर्माता/ब्रांड

GigaDevice Semiconductor (HK) Limited

भाग स्थिति

Active

तकनीकी

FLASH - NAND

परिचालन तापमान

-40°C ~ 85°C (TA)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

8-WDFN Exposed Pad

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

8-WSON (6x8)

वोल्टेज आपूर्ति

2.7 V ~ 3.6 V

मेमोरी प्रकार

Non-Volatile

मेमोरी का आकार

2Gb (256M x 8)

घड़ी की आवृत्ति

120MHz

मेमोरी प्रारूप

Flash

चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ

700µs

मेमोरी इंटरफ़ेस

SPI - Quad I/O

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