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BSS119 E6433

MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

भाग संख्या

BSS119 E6433

निर्माता/ब्रांड

Infineon Technologies

शृंखला

SIPMOS®

भाग स्थिति

Obsolete

पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

PG-SOT23-3

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

360mW (Ta)

एफईटी प्रकार

N-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

100V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

170mA (Ta)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

6 Ohm @ 170mA, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

2.3V @ 50µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

2.5nC @ 10V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

78pF @ 25V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

4.5V, 10V

वीजीएस (अधिकतम)

±20V

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