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DF200R12KE3HOSA1

IGBT MODULE VCES 1200V 200A

भाग संख्या

DF200R12KE3HOSA1

निर्माता/ब्रांड

Infineon Technologies

शृंखला

भाग स्थिति

Active

परिचालन तापमान

-40°C ~ 125°C

माउन्टिंग का प्रकार

Chassis Mount

पैकेज/केस

Module

शक्ति - अधिकतम

1040W

विन्यास

Single

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

Module

वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम)

वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम)

1200V

वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम)

5mA

आईजीबीटी प्रकार

Vce(on) (अधिकतम) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 200A

इनपुट कैपेसिटेंस (Cies) @ Vce

14nF @ 25V

इनपुट

Standard

एनटीसी थर्मिस्टर

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