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IXBA16N170AHV

REVERSE CONDUCTING IGBT

भाग संख्या

IXBA16N170AHV

निर्माता/ब्रांड

IXYS

शृंखला

BIMOSFET™

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

निवेष का प्रकार

Standard

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

शक्ति - अधिकतम

150W

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

TO-263HV

रिवर्स पुनर्प्राप्ति समय (trr)

25ns

वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम)

16A

वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम)

1700V

आईजीबीटी प्रकार

Vce(on) (अधिकतम) @ Vge, Ic

6V @ 15V, 10A

वर्तमान - कलेक्टर स्पंदित (आईसीएम)

40A

ऊर्जा स्विचिंग

2.5mJ (off)

गेट प्रभारी

65nC

टीडी (चालू/बंद) @ 25 डिग्री सेल्सियस

15ns/250ns

परीक्षण स्थिति

1360V, 10A, 10 Ohm, 15V

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