MMIX1F180N25T
MOSFET N-CH 250V 130A SMPD
भाग संख्या
MMIX1F180N25T
निर्माता/ब्रांड
शृंखला
GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
भाग स्थिति
Active
पैकेजिंग
Tube
तकनीकी
MOSFET (Metal Oxide)
परिचालन तापमान
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार
Surface Mount
पैकेज/केस
24-PowerSMD, 21 Leads
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज
24-SMPD
विद्युत अपव्यय (अधिकतम)
570W (Tc)
एफईटी प्रकार
N-Channel
एफईटी सुविधा
-
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)
250V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस
132A (Tc)
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस
13 mOhm @ 90A, 10V
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी
5V @ 8mA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
364nC @ 10V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
23800pF @ 25V
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)
10V
वीजीएस (अधिकतम)
±20V
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