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MA4AGBLP912

ALGAAS BEAM LEAD PIN DIODE

भाग संख्या

MA4AGBLP912

निर्माता/ब्रांड

M/A-Com Technology Solutions

शृंखला

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Tray

परिचालन तापमान

-65°C ~ 125°C (TJ)

पैकेज/केस

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

वर्तमान - अधिकतम

40mA

डायोड प्रकार

PIN - Single

वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम)

50V

कैपेसिटेंस @ वीआर, एफ

0.03pF @ 5V, 1MHz

प्रतिरोध @ यदि, एफ

4.9 Ohm @ 20mA, 1GHz

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

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