खरीदें Microchip Technology LN100LA-G MOSFET 2N-CH 1200V

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LN100LA-G

MOSFET 2N-CH 1200V

भाग संख्या

LN100LA-G

निर्माता/ब्रांड

Microchip Technology

शृंखला

भाग स्थिति

Obsolete

पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)

परिचालन तापमान

-25°C ~ 125°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

6-VFLGA

शक्ति - अधिकतम

350mW

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

6-LFGA (3x3)

एफईटी प्रकार

2 N-Channel (Cascoded)

एफईटी सुविधा

Standard

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

1200V (1.2kV)

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

3000 Ohm @ 2mA, 2.8V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

1.6V @ 10µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

50pF @ 25V

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