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VN10KN3-G-P002

MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3

भाग संख्या

VN10KN3-G-P002

निर्माता/ब्रांड

Microchip Technology

शृंखला

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Cut Tape (CT)

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole

पैकेज/केस

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

TO-92-3

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

1W (Tc)

एफईटी प्रकार

N-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

60V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

310mA (Tj)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

5 Ohm @ 500mA, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

2.5V @ 1mA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

60pF @ 25V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

5V, 10V

वीजीएस (अधिकतम)

±30V

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