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PMT200EPEX

PMT200EPE/SOT223/SC-73

भाग संख्या

PMT200EPEX

निर्माता/ब्रांड

Nexperia USA Inc.

शृंखला

TrenchMOS™

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

TO-261-4, TO-261AA

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

SC-73

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

800mW (Ta)

एफईटी प्रकार

P-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

70V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

2.4A (Ta)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

167 mOhm @ 2.4A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

3V @ 250µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

15.9nC @ 10V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

822pF @ 35V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

4.5V, 10V

वीजीएस (अधिकतम)

±20V

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