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PH5525L,115

MOSFET N-CH 25V 81.7A LFPAK

भाग संख्या

PH5525L,115

निर्माता/ब्रांड

NXP USA Inc.

शृंखला

TrenchMOS™

भाग स्थिति

Obsolete

पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

SC-100, SOT-669

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

LFPAK56, Power-SO8

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

62.5W (Tc)

एफईटी प्रकार

N-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

25V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

81.7A (Tc)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

5.5 mOhm @ 25A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

2.15V @ 1mA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

16.6nC @ 4.5V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

2150pF @ 12V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

4.5V, 10V

वीजीएस (अधिकतम)

±20V

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