खरीदें NXP USA Inc. PMDPB38UNE,115 MOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6

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PMDPB38UNE,115

MOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6

भाग संख्या

PMDPB38UNE,115

निर्माता/ब्रांड

NXP USA Inc.

शृंखला

भाग स्थिति

Obsolete

पैकेजिंग

Digi-Reel®

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

6-UDFN Exposed Pad

शक्ति - अधिकतम

510mW

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

DFN2020-6

एफईटी प्रकार

2 N-Channel (Dual)

एफईटी सुविधा

Logic Level Gate

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

20V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

46 mOhm @ 3A, 4.5V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

1V @ 250µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

4.4nC @ 4.5V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

268pF @ 10V

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