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2N7000-D26Z

MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92

भाग संख्या

2N7000-D26Z

निर्माता/ब्रांड

ON Semiconductor

शृंखला

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Cut Tape (CT)

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole

पैकेज/केस

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

TO-92-3

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

400mW (Ta)

एफईटी प्रकार

N-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

60V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

200mA (Ta)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

5 Ohm @ 500mA, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

3V @ 1mA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

50pF @ 25V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

4.5V, 10V

वीजीएस (अधिकतम)

±20V

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