ECH8309-TL-H
MOSFET P-CH 12V 9.5A ECH8
भाग संख्या
ECH8309-TL-H
निर्माता/ब्रांड
शृंखला
-
भाग स्थिति
Active
पैकेजिंग
Tape & Reel (TR)
तकनीकी
MOSFET (Metal Oxide)
परिचालन तापमान
150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार
Surface Mount
पैकेज/केस
8-SMD, Flat Lead
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज
8-ECH
विद्युत अपव्यय (अधिकतम)
1.5W (Ta)
एफईटी प्रकार
P-Channel
एफईटी सुविधा
-
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)
12V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस
9.5A (Ta)
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस
16 mOhm @ 4.5A, 4.5V
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी
-
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
18nC @ 4.5V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
1780pF @ 6V
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)
1.8V, 4.5V
वीजीएस (अधिकतम)
±10V
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