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EFC6601R-TR

MOSFET 2N-CH EFCP

भाग संख्या

EFC6601R-TR

निर्माता/ब्रांड

ON Semiconductor

शृंखला

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Digi-Reel®

परिचालन तापमान

150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

6-XFBGA, FCBGA

शक्ति - अधिकतम

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

EFCP2718-6CE-020

एफईटी प्रकार

2 N-Channel (Dual)

एफईटी सुविधा

Logic Level Gate, 2.5V Drive

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

48nC @ 4.5V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

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