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FDME1024NZT

MOSFET 2N-CH 20V 3.8A 6-MICROFET

भाग संख्या

FDME1024NZT

निर्माता/ब्रांड

ON Semiconductor

शृंखला

PowerTrench®

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Cut Tape (CT)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

6-UFDFN Exposed Pad

शक्ति - अधिकतम

600mW

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

6-MicroFET (1.6x1.6)

एफईटी प्रकार

2 N-Channel (Dual)

एफईटी सुविधा

Logic Level Gate

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

20V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

3.8A

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

66 mOhm @ 3.4A, 4.5V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

1V @ 250µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

4.2nC @ 4.5V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

300pF @ 10V

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