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FDMQ8203

MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12-MLP

भाग संख्या

FDMQ8203

निर्माता/ब्रांड

ON Semiconductor

शृंखला

GreenBridge™ PowerTrench®

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Digi-Reel®

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

12-WDFN Exposed Pad

शक्ति - अधिकतम

2.5W

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

12-MLP (5x4.5)

एफईटी प्रकार

2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)

एफईटी सुविधा

Logic Level Gate

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

100V, 80V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

3.4A, 2.6A

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

110 mOhm @ 3A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

4V @ 250µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

5nC @ 10V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

210pF @ 50V

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