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J113-D74Z

JFET N-CH 35V 625MW TO92

भाग संख्या

J113-D74Z

निर्माता/ब्रांड

ON Semiconductor

शृंखला

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Tape & Box (TB)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole

पैकेज/केस

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

शक्ति - अधिकतम

625mW

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

TO-92-3

एफईटी प्रकार

N-Channel

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

वोल्टेज - ब्रेकडाउन (वी(बीआर)जीएसएस)

35V

वर्तमान - नाली (आईडीएसएस) @ वीडीएस (वीजीएस = 0)

2mA @ 15V

वर्तमान नाली (आईडी) - अधिकतम

वोल्टेज - कटऑफ (वीजीएस बंद)@आईडी

500mV @ 1µA

प्रतिरोध - आरडीएस(चालू)

100 Ohms

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