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NDS331N

MOSFET N-CH 20V 1.3A SSOT3

भाग संख्या

NDS331N

निर्माता/ब्रांड

ON Semiconductor

शृंखला

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Cut Tape (CT)

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

SuperSOT-3

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

500mW (Ta)

एफईटी प्रकार

N-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

20V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

1.3A (Ta)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

160 mOhm @ 1.5A, 4.5V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

1V @ 250µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

5nC @ 4.5V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

162pF @ 10V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

2.7V, 4.5V

वीजीएस (अधिकतम)

±8V

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