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NVD5117PLT4G-VF01

MOSFET P-CH 60V 61A DPAK

भाग संख्या

NVD5117PLT4G-VF01

निर्माता/ब्रांड

ON Semiconductor

शृंखला

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Digi-Reel®

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

DPAK

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

4.1W (Ta), 118W (Tc)

एफईटी प्रकार

P-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

60V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

11A (Ta), 61A (Tc)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

16 mOhm @ 29A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

2.5V @ 250µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

85nC @ 10V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

4800pF @ 25V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

4.5V, 10V

वीजीएस (अधिकतम)

±20V

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