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HAF1002-90STL-E

MOSFET P-CH 60V 15A 4LDPAK

भाग संख्या

HAF1002-90STL-E

निर्माता/ब्रांड

Renesas Electronics America

शृंखला

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

SC-83

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

4-LDPAK

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

50W (Tc)

एफईटी प्रकार

P-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

60V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

15A (Ta)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

90 mOhm @ 7.5A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

4V, 10V

वीजीएस (अधिकतम)

+3V, -16V

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