खरीदें Renesas Electronics America RJM0603JSC-00#12 MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP

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RJM0603JSC-00#12

MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP

भाग संख्या

RJM0603JSC-00#12

निर्माता/ब्रांड

Renesas Electronics America

शृंखला

Automotive, AEC-Q101

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Tray

परिचालन तापमान

175°C

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad

शक्ति - अधिकतम

54W

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

20-HSOP

एफईटी प्रकार

3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)

एफईटी सुविधा

Logic Level Gate, 4.5V Drive

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

60V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

20A

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

20 mOhm @ 10A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

2.5V @ 1mA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

43nC @ 10V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

2600pF @ 10V

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