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RE1C001ZPTL

MOSFET P-CH 20V 0.1A EMT3

भाग संख्या

RE1C001ZPTL

निर्माता/ब्रांड

Rohm Semiconductor

शृंखला

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Cut Tape (CT)

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

SC-89, SOT-490

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

EMT3F (SOT-416FL)

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

150mW (Ta)

एफईटी प्रकार

P-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

20V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

100mA (Ta)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

3.8 Ohm @ 100mA, 4.5V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

1V @ 100µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

15pF @ 10V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

1.2V, 4.5V

वीजीएस (अधिकतम)

±10V

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