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RRL025P03TR

MOSFET P-CH 30V 2.5A TUMT6

भाग संख्या

RRL025P03TR

निर्माता/ब्रांड

Rohm Semiconductor

शृंखला

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Digi-Reel®

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

6-SMD, Flat Leads

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

TUMT6

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

320mW (Ta)

एफईटी प्रकार

P-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

30V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

2.5A (Ta)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

75 mOhm @ 2.5A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

2.5V @ 1mA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

5.2nC @ 5V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

480pF @ 10V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

4V, 10V

वीजीएस (अधिकतम)

±20V

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