US6K4TR
MOSFET 2N-CH 20V 1.5A TUMT6
भाग संख्या
US6K4TR
निर्माता/ब्रांड
शृंखला
-
भाग स्थिति
Active
पैकेजिंग
Tape & Reel (TR)
परिचालन तापमान
150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार
Surface Mount
पैकेज/केस
6-SMD, Flat Leads
शक्ति - अधिकतम
1W
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज
TUMT6
एफईटी प्रकार
2 N-Channel (Dual)
एफईटी सुविधा
Logic Level Gate
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)
20V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस
1.5A
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस
180 mOhm @ 1.5A, 4.5V
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी
1V @ 1mA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
2.5nC @ 4.5V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
110pF @ 10V
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