US6M2GTR
2.5V DRIVE NCH+PCH MOSFET, 6 PIN
भाग संख्या
US6M2GTR
निर्माता/ब्रांड
शृंखला
-
भाग स्थिति
Active
पैकेजिंग
Cut Tape (CT)
परिचालन तापमान
150°C
माउन्टिंग का प्रकार
Surface Mount
पैकेज/केस
6-SMD, Flat Leads
शक्ति - अधिकतम
1W
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज
TUMT6
एफईटी प्रकार
N and P-Channel
एफईटी सुविधा
Standard
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)
30V, 20V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस
1.5A, 1A
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस
240 mOhm @ 1.5A, 4.5V, 390 mOhm @ 1A, 4.5V
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी
1.5V @ 1mA, 2V @ 1mA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
2.2nC @ 4.5V, 2.1nC @ 4.5V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
80pF @ 10V, 150pF @ 10V
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