SMA5127
MOSFET 3N/3P-CH 60V 4A 12-SIP
भाग संख्या
SMA5127
निर्माता/ब्रांड
शृंखला
-
भाग स्थिति
Active
पैकेजिंग
Tube
परिचालन तापमान
150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार
Through Hole
पैकेज/केस
12-SIP
शक्ति - अधिकतम
4W
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज
12-SIP
एफईटी प्रकार
3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
एफईटी सुविधा
Standard
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)
60V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस
4A
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस
550 Ohm @ 2A, 4V
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी
2V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
-
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
150pF @ 10V
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