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STD30N6LF6AG

MOSFET N-CH 60V 24A

भाग संख्या

STD30N6LF6AG

निर्माता/ब्रांड

STMicroelectronics

शृंखला

Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Cut Tape (CT)

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

DPAK

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

40W (Tc)

एफईटी प्रकार

N-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

60V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

24A (Tc)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

25 mOhm @ 12A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

2.5V @ 250µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

26nC @ 10V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

1320pF @ 25V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

4.5V, 10V

वीजीएस (अधिकतम)

±20V

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