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STD50N03L-1

MOSFET N-CH 30V 40A IPAK

भाग संख्या

STD50N03L-1

निर्माता/ब्रांड

STMicroelectronics

शृंखला

STripFET™ III

भाग स्थिति

Obsolete

पैकेजिंग

Tube

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole

पैकेज/केस

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

I-PAK

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

60W (Tc)

एफईटी प्रकार

N-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

30V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

40A (Tc)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

10.5 mOhm @ 20A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

1V @ 250µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

14nC @ 5V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

1434pF @ 25V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

5V, 10V

वीजीएस (अधिकतम)

±20V

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