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STI12N65M5

MOSFET N-CH 650V 8.5A I2PAK

भाग संख्या

STI12N65M5

निर्माता/ब्रांड

STMicroelectronics

शृंखला

MDmesh™ V

भाग स्थिति

Obsolete

पैकेजिंग

Tube

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole

पैकेज/केस

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

I2PAK

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

70W (Tc)

एफईटी प्रकार

N-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

650V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

8.5A (Tc)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

430 mOhm @ 4.3A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

5V @ 250µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

22nC @ 10V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

900pF @ 100V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

10V

वीजीएस (अधिकतम)

±25V

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