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STL100N1VH5

MOSFET N-CH 12V 100A POWERFLAT56

भाग संख्या

STL100N1VH5

निर्माता/ब्रांड

STMicroelectronics

शृंखला

STripFET™ V

भाग स्थिति

Obsolete

पैकेजिंग

Cut Tape (CT)

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

8-PowerVDFN

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

PowerFlat™ (5x6)

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

60W (Tc)

एफईटी प्रकार

N-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

12V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

100A (Tc)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

3 mOhm @ 12.5A, 4.5V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

500mV @ 250µA (Min)

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

26.5nC @ 4.5V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

2085pF @ 10V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

2.5V, 4.5V

वीजीएस (अधिकतम)

±8V

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