STL12N10F7
N-CHANNEL 100V 12A STRIPFET F7 P
भाग संख्या
STL12N10F7
निर्माता/ब्रांड
शृंखला
STripFET™ F7
भाग स्थिति
Active
तकनीकी
MOSFET (Metal Oxide)
परिचालन तापमान
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार
Surface Mount
पैकेज/केस
8-PowerVDFN
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज
PowerFlat™ (3.3x3.3)
विद्युत अपव्यय (अधिकतम)
52W (Tc)
एफईटी प्रकार
N-Channel
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)
100V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस
44A (Tc)
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस
13.3 mOhm @ 6A, 10V
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी
4.5V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
30nC @ 10V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
1820pF @ 50V
वीजीएस (अधिकतम)
±20V
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)
10V
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