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STS10DN3LH5

MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC

भाग संख्या

STS10DN3LH5

निर्माता/ब्रांड

STMicroelectronics

शृंखला

STripFET™ V

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

शक्ति - अधिकतम

2.5W

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

8-SO

एफईटी प्रकार

2 N-Channel (Dual)

एफईटी सुविधा

Logic Level Gate

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

30V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

10A

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

21 mOhm @ 5A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

1V @ 250µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

4.6nC @ 5V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

475pF @ 25V

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