STS3DNE60L
MOSFET 2N-CH 60V 3A 8SOIC
भाग संख्या
STS3DNE60L
निर्माता/ब्रांड
शृंखला
STripFET™
भाग स्थिति
Obsolete
पैकेजिंग
Tape & Reel (TR)
परिचालन तापमान
150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार
Surface Mount
पैकेज/केस
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
शक्ति - अधिकतम
2W
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज
8-SO
एफईटी प्रकार
2 N-Channel (Dual)
एफईटी सुविधा
Logic Level Gate
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)
60V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस
3A
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस
80 mOhm @ 1.5A, 10V
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी
1V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
13.5nC @ 4.5V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
815pF @ 25V
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