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SFT11G A1G

DIODE GEN PURP 50V 1A TS-1

भाग संख्या

SFT11G A1G

निर्माता/ब्रांड

Taiwan Semiconductor Corporation

शृंखला

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Tape & Box (TB)

माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole

पैकेज/केस

T-18, Axial

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

TS-1

डायोड प्रकार

Standard

वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ)

वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ यदि

950mV @ 1A

करंट - रिवर्स लीकेज @ वीआर

5µA @ 50V

वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम)

50V

रफ़्तार

Fast Recovery = 200mA (Io)

रिवर्स पुनर्प्राप्ति समय (trr)

35ns

ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन

-55°C ~ 150°C

कैपेसिटेंस @ वीआर, एफ

20pF @ 4V, 1MHz

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