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TSM210N02CX RFG

MOSFET N-CHANNEL 20V 6.7A SOT23

भाग संख्या

TSM210N02CX RFG

निर्माता/ब्रांड

Taiwan Semiconductor Corporation

शृंखला

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Cut Tape (CT)

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

SOT-23

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

1.56W (Tc)

एफईटी प्रकार

N-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

20V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

6.7A (Tc)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

25 mOhm @ 4A, 4.5V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

800mV @ 250µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

4nC @ 4.5V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

600pF @ 10V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

1.8V, 4.5V

वीजीएस (अधिकतम)

±10V

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